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中國臺灣松木MOS管 ME3491D數據手冊規格書ME3491D中文資料pdf

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具體成交價以合同協議為準

產品型號ME3491D

品       牌

廠商性質代理商

所  在  地

聯系方式:楊澤銘查看聯系方式

更新時間:2022-03-24 10:42:13瀏覽次數:138次

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經營模式:代理商

商鋪產品:523條

所在地區:廣東深圳市

聯系人:楊澤銘 (銷售經理)

產品簡介

TheME3491DistheP-Channellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusinghighcelldensity,DMOStrenchtechnology

詳細介紹

  • The ME3491D is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebook computer power management and other battery powered circuits where low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.


    應用:

    ●筆記本中的電源管理


    ●便攜式設備


    ●電池供電系統


    ●負荷開關


    ●差示掃描量熱儀


  • ● RDS(ON)≦50mΩ@VGS=-4.5V

    ● RDS(ON)≦65mΩ@VGS=-2.5V

    ● RDS(ON)≦82mΩ@VGS=-1.8V

    ● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

    ● Exceptional on-resistance and maximum DC current capability


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