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北京羲和陽光科技發展有限公司
RTM660C采用高精度的厚度及電阻率探頭,配以強大的軟件控制,可以用多種方式進行無接觸式測量,使得測試過程變得十分高效。系統采用一體化設計,結構緊湊,安裝方便。使用者在操作平臺上轉動硅片,測試數據可即時顯示,并可對測試數據進行分析處理。高精度電容式厚度探頭和電渦流式電阻率探頭,保證測試結果精確且穩定。RTM660C可廣泛使用于研究、生產及質檢等場所,友好的人機交互界面,使用相當便捷。
RTM660C無接觸式硅片厚度電阻率測試系統
RTM660C采用高精度的厚度及電阻率探頭,配以強大的軟件控制,可以用多種方式進行無接觸式測量,使得測試過程變得十分高效。系統采用一體化設計,結構緊湊,安裝方便。使用者在操作平臺上轉動硅片,測試數據可即時顯示,并可對測試數據進行分析處理。高精度電容式厚度探頭和電渦流式電阻率探頭,保證測試結果精確且穩定。RTM660C可廣泛使用于研究、生產及質檢等場所,友好的人機交互界面,使用相當便捷。
技術參數
■ 硅片規格:
方片125x125mm、156x156mm
圓片3″、4″、5″、6″、8″
■ 測試功能
厚度:單點及多點厚度
TTV:總厚度偏差
體電阻率:單點及多點體電阻率
■ 測試指標
厚度范圍:150~1000μm
測量誤差:≤±1.0μm
重復性:≤±0.20μm
TTV范圍:0.00μm~200.00μm
測量誤差:≤±0.50μm
重復性:≤±0.20μm
體電阻率范圍:0.1Ω.cm~30.0Ω.cm
測量誤差:≤±3%
重復性:≤1.5%
■ 設備尺寸/重量:470mm(L)x420mm(W)x600mm(H)/20Kg
■ 測試環境要求:溫度范圍15~27℃
■ 濕度范圍:35%~85%
■ 電源要求:220VAC,50Hz
■ 控制器:高性能主機
系統演示
系統操作演示
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